值得关注的是，国网测试内容还通过YouTube进行了视频回放，吸引了不少观众。

天津图3 SnS2器件的电子测量a）SnS2 FETs的横截面示意图。c）在300~900nm的Vd =2V时，电力原始SnS2器件的时间分辨宽带光响应。

（2）在国际上率先提出并成功合成了二维无机分子晶体，研发有限将二维分子晶体的概念从有机分子引入到无机分子，极大地扩展了分子晶体研究领域。空间主要从事二维材料/异质结的可控制备及其光电性能的研究。图2 DFT理论计算得到的形成能、作业装置电荷转移和能带结构a）计算出SnS2晶体中5种可能的S相关缺陷的缺陷形成能。

安全d）原始SnS2 FETs的相应输出特性。监测c）原始（黑色）和经O2等离子体处理的SnS2（红色）的吸收光谱。

（3）创造性提出可重构高效二维双极晶体管概念，国网成功实现基于铁电剩余极化效应的可控掺杂方案，国网并以可重构的局域铁电极化发展出高性能的双极型光电晶体管，推动了光电子器件工艺的微型化和集成化。

通过实验研究和第一性原理计算，天津解释了处理过的SnS2能带结构变化的基本物理原理。b）原始（黑色）和经O2等离子体处理的SnS2（红色）器件的门控响应（Ids–Vg），电力在Vds =1V时Vg−为40V至40V。

目前共发表论文30余篇，研发有限引用1200余次。空间这种简便的技术可以为增强半导体2D材料的光电性能提供一条途径。

此外，作业装置还进行了XPS、XRD、拉曼和理论计算，解释了处理结果的基本物理原理。安全相关成果以题为Giant‐EnhancedSnS2 PhotodetectorswithBroadbandResponsethroughOxygenPlasmaTreatment发表在了Adv.Funct.Mater.上。